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多孔碳硅烷CVD沉積碳包覆一體真空爐


  • 產(chǎn)品描述
    • 商品名稱: 多孔碳硅烷CVD沉積碳包覆一體真空爐

    應(yīng)用領(lǐng)域:

    多孔碳材料CVD沉積   甲烷、乙炔CVD碳包覆

    工藝特點:

    本設(shè)備采用粉體霧化轉(zhuǎn)流化先進工藝使CVD沉積更充分;

    特殊的多弧形坩堝避免藏料,全范圍無死角;

    高速的霧化及一體爐雙重的工藝,使硅碳包覆更均勻就把硅烷利用率提高90%以上;

    5層真空室使用硅烷氣體安全得到保證上。 

    型 號

    外型尺寸

    裝載量

    工作溫度

    極限溫度

    真空度

    總功率

    氣氛類別

    設(shè)備重量

    MGB140-120-200HL2

    6000*5000*5000

    200KG

    400℃~800℃

    1000℃

    1-2.5Pa

    230KW

    SiH4/CH4

    10T

關(guān)鍵詞:

產(chǎn)品咨詢

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